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两家都是芯片代工巨头,中芯国际和台积电实力对比,差距有多大?
发布时间:2020-07-25 00:49 来源:互联网 点击次数:

不吹不黑,中芯国际在中端芯片制造技术上可以与台积电拼一下,但是上升到高端芯片制造上就不行了。现在台积电稳步量产5纳米制程工艺的芯片,预计在2021年下半年量产3纳米制程工艺定位芯片。而中芯国际的目前正在量产14纳米制程工艺的芯片,接近于7纳米制程工艺的N+1和N+2也将于2020年年底试生产。

与三星,英特尔,中芯国际不同的是,台积电直接跳过了14纳米制程工艺,16纳米制程工艺之后就是10纳米级别的。基本上台积电的16纳米制程工艺与三星的14纳米制程工艺都是在2015年出现的,而中芯国际是在2019年底开始量产14纳米制程工艺芯片的,可见两者之间差了4年左右。也就是说,中芯国际目前的实力相当于台积电2015年的实力。但是呢,台积电的3纳米制程工艺也将于今年试生产,一切顺利的话,将在2021年正式量产,而中芯国际的N+1和N+2工艺也将在2021年量产。也就是说,中芯国际的14纳米制程工艺与台积电差了4年,7纳米制程工艺差了3年。这么来看的话,中芯国际的制程工艺与台积电的差距是逐渐缩小的。

在7纳米以及之前的制程工艺不用EUV光刻机也行,这些差距还是很容易被赶上来的。但是到了7纳米制程工艺以下,5纳米,3纳米就离不开EUV光刻机了。不是说,用DUV光刻机制造不出来,主要是因为制造出来的过程太慢了,耗费资金太多了,根本上就划不来。所以说,工艺越往下探,就对硬件设备的要求越高,EUV光刻机还是无法被取代啊。

如果说,中芯国际无法得到ASML的EUV光刻机或者国内制造不出来EUV光刻机,那么与台积电的技术水平又将被再次拉大。所以说,这里面的关键主要就是EUV光刻机了,只要中芯国际可以得到以上任意一个光刻机,那么其技术实力就不会被拉大了,而是会逐渐的缩小。

当然了,芯片制程工艺的发展离不开设备的支持,但是与人的关系也不小。同样使用DUV光刻机的台积电就可以量产7纳米制程工艺,而三星就做不到,这就要剔除设备的因素了。关键因素还是技术研发人员,可以说LMS到了三星之后,把三星的制程工艺提上去了,到了中芯国际后,短时间又把中芯国际的制程工艺提上去了。从此也可以看出,在芯片制造上,设备很重要,人才同样很重要。

现在中芯国际缺的不是人才,而是缺乏设备。想要追上台积电的步伐,还得有必备的设备啊啊。现在的中芯国际与台积电还是有不小的差距,就等待国产EUV光刻机取得突破了。只要国产EUV光刻机被制造出来,ASML会立刻向国内出售EUV光刻机。总而言之,中芯国际与台积电还有数年的差距,还需要继续努力的。当然了,EUV光刻机的制造难度很大,即便是ASML也是集世界之大成技术才制造出来的。不过,我国在一穷二白的时候,可以制造出原子弹,氢弹,洲际导弹,人造卫星。那么,在今天,集全国之力制造出EUV光刻机也肯定可以的。

而芯片的也不只局限于硅基,还有量子芯片,碳基芯片等新兴芯片在研发之中。在全力研发EUV光刻机时,也要在以上这些芯片领域发力,争取在新的芯片上赶上国际先进水平。

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