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台积电2nm 研发取得重大突破?认证了张忠谋那句大陆不易超越!
发布时间:2020-07-26 17:33 来源:互联网 点击次数:

近日根据台湾经济日报报道,台积电在2nm 研发取得重大突破,从 FinFET将切入全环栅场效应晶体管 GAA。这意味着台积电向下一个技术节点又迈进了一步,那么什么是GAA呢?

要说到GAA,首先小编先说说它的来历,其实早前三星以及台积电一直都在研发5nm以下的制程工艺,毕竟双方在代加工领域算是老对手了。谁掌握更先进的技术,就意味着未来数码厂商向谁靠拢,这是毋庸置疑的,毕竟每个消费者都想使用更为先进的手机。

我们都知道今年台积电正在量产5nm芯片,在2020年下半年的旗舰手机当中就可以看见它们的身影,而三星公司也不甘示弱,也在研发更为先进的芯片技术,直接跳过5nm,研发3nm制程产品,预计会在2021年问世。

根据三星官方的说法,三星推出的3nm制程技术,会比现在的7nm制程整体性能要提升35%,芯片能源功耗再降低50%,并且晶片面积缩减45%。

事实上三星公司早在今天的4月14日在美国的加州晶圆制造论坛当中就已经宣布,三星公司正在研发一项名为《环绕闸极》的技术,也就是Gate all around缩写为GAA。也就是说GAA相当于目前的FinFET进化版。可以使手机芯片效能更快,体积更小。如果这项技术能够攻克,完全可以和对手台积电或是英特尔相抗衡,并且还能够解决晶片缩小的过程当中所带来的工程难题,可延续摩尔定律的持续发展。

其实摩尔定律并不是像墨菲定律那样高大上,摩尔定律是英特尔执行长摩尔发现的一种现象,而这个现象好像是没有什么科学依据,当时摩尔认为芯片的制程节点极限是35nm,但这一定律早在很多年前由加州大学伯克利分校胡正明教授以及他的团队攻克下来,依托了FinFET技术,才发展到现如今的5nm、3nm芯片。小编认为科学本来就是需要被推翻的。古代人还觉得天圆地,地是方的呢!后来不还是被现代科学所推翻。

虽然三星公司最先开发GAA技术,但是台积电可谓是后来者居上,小编个人认为,台积电在FinFET技术上相比三星公司更加成熟,本身GAA就是FinFET的进化版,所以能够生产出更为精细的芯片也算是情理之中,理由是同样是7nm制程工艺的猎户座其性能就不如骁龙865。这是小编的一些愚见。有不对的地方还向小伙伴们虚心求教。但是从实验到真正能够用到商业量产的话恐怕还是需要时间。

另外,台积电曾表示过,自己也有3nm技术只不过是FinFET技术。主要是考虑到自己的VIP客户,假如2nm芯片成功量产,那么所有数码厂商设计的手机都要重新设计,而3nm得FinFET技术,可从5nm设计当中直接可以套用。

反观我们国内手机芯片市场,目前能够拿得出手的是中芯国际14nm制程芯片。但是现在中芯国际也有自己的苦衷,并不能向华为提供服务,那么我国能够自主研发量产的手机芯片又是多少呢?那么和2nm技术相比又差了多少代,我想小伙们心中也有自己的答案了吧?所以张忠谋曾经在采访中说到大陆的半导体不易超越还是有他的道理的!

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